| F-RAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势，具有几乎无限次的读写次数、高速读写周期和低功耗特点。我们的F-RAM产品线具有多种接口和容量，包括工业标准的串行和并行接口；工业标准的封装类型；4Kb、16Kb、256Kb、1Mb、2Mb和4Mb存储容量。 |
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| 所有Ramtron的F-RAM产品具备的3大特点，使其不同于其他非易失性存储技术： |
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快速写入
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| F-RAM执行写操作的速度和读操作的速度一样快。就在总线速度下写数据而言，F-RAM对写入的数据变成非易失性数据并没有任何延迟。与基于浮栅技术的非易失性存储器5毫秒的数据读写延时相比，F-RAM的写入速度只为几十纳秒，在汽车安全系统应用中必不可少。 |
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高耐久性
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F-RAM提供几乎无限次写入的耐久性，这就意味着它不存在像其他非易失性存储器件那样。对于采用浮栅技术的非易失性存储器而言，存在1E5时钟周期的硬故障和无法写入，不适合应用于高耐久性的应用。
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低功耗
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F-RAM操作无需(高压)充电激励，因此可以降低功耗。采用浮栅技术的非易失存储器在写操作过程中需要高电压支持，而F-RAM的写操作只需要本身制造工艺的的电压：5V，3V或通过提高工艺使电压更低。
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| 更多详细产品信息及完整说明请查看我们最新的非易失性存储器产品： |
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| 更多帮助 |
| 我们的F-RAM应用工程很高兴和您讨论关于如何使用我们的存储器产品在您的下一个设计项目中。 |
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| 发邮件至 framinfo@ramtron.com 或者拨打电话719-481-7000. |
