2Mbit位非易失性铁电存储器
• 结构容量为128K×16位
• 可用/UB，/LB设置成256K× 8位
• 读/写次数达到100万亿次（1014） 次
• 写数据无延迟
• 页面模式运行可达到40MHz
• 采用先进的高可靠性铁电制造工艺
可兼容SRAM
• 符合JEDEC 128K×16 SRAM引脚标准
• 访问时间：60ns， 周期：110ns
高级功能
• 低电压监控保护内存防止意外写入
• 软件可编程块写保护
优于带后备电池SRAM模块
• 没有电池忧虑
• 整体可靠性
低功耗操作
• 2.7V – 3.6V供电电压
• 低待机电流
• 12 mA 工作电流
工业级配置
• 工业级温度 -40° C to +85° C
• 48-ball “Green”/RoHS FBGA 封装
• 真正的表面贴片安装解决方案，没有返工步骤
• 防止潮湿，冲击和震动的危害
订购信息
FM21LD16-60-BG 60ns access, 48-ball “Green”/RoHS FBGA
