不推荐在新设计中采用.
请查看 FM25V05.

512Kbit位非易失性铁电存储器
• 结构容量为65,536 x 8位
• 读/写次数无限制
• 掉电数据保存10年
• 写数据无延迟
• 采用先进的高可靠性铁电制造工艺

高速串行外设接口- SPI
• 总线频率可达20MHz
• 硬件上可直接替换EEPROM
• SPI模式0&3（CPOL,CPHA=0,0&1,1）

写保护机制
• 硬件保护
• 软件保护

低功耗
• 工作电压：3.0V~3.6V
• 待机电流：20μA

工业标准
• 工业级温度：-40℃~+85℃
• 8脚环保/RoHS TDFN封装
• 兼容8脚SOIC封装

订购信息
• FM25L512-DG -8脚环保/RoHS TDFN封装