2Mbit位非易失性铁电存储器
• 结构容量为128K×16位
• 可用/UB，/LB设置成256K×
8位
• 读/写次数达到100万亿次（1014） 次
• 写数据无延迟
• 页面模式运行可达到40MHz
• 采用先进的高可靠性铁电制造工艺
可兼容SRAM
• 符合JEDEC 128K×16 SRAM引脚标准
• 访问时间：60ns， 周期：110ns
高级功能
• 低电压监控保护内存防止意外写入
• 软件可编程块写保护
优于带后备电池SRAM模块
• 没有电池忧虑
• 整体可靠性
• 真正的表面贴片安装解决方案，没有返工步骤
• 防止潮湿，冲击和震动的危害
低功耗操作
• 工作电压：2.7V~3.6V
• 超低待机电流：使用ZZ引脚
• 工作电流：18 mA
工业标准
• 工业级温度：-40℃~+85℃
• 44脚环保/RoHS TSOP-Ⅱ封装
订购信息
• FM21L16-60-TG，60ns访问时间，44脚环保/RoHS TSOP-Ⅱ封装
| 订购样片 |
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| FM21L16-60-TG |
60ns access, 44-pin "Green"/RoHS TSOP-II |
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