1Mbit位非易失性铁电存储器
• 结构容量为131,072×8位
• 掉电数据保存10年
• 读/写次数无限制
• 写数据无延迟

附加功能
• 页面模式运行可达到33 MHz
• 电压监控驱动Lockout 信号
• 采用先进的高可靠性铁电制造工艺

优于带后备电池SRAM
• 没有电池忧虑
• 整体可靠性
• 真正的表面贴片安装解决方案，没有返工步骤
• 防止潮湿，冲击和震动的危害
• 抵抗负电压脉冲能力

可兼容SRAM
• 符合JEDEC 128K×8 SRAM引脚标准
• 访问时间：60ns 
• 周期：150ns （扩展温度）
• 周期：350ns （工业级温度）

低功耗操作
• 工作电压：3.13V - 3.63V 
• 工作电流：22mA 
• 待机电流：25uA

工业标准
• 工业级温度：-40℃至+85℃
• 扩展温度：-20℃至+85℃
• 32脚TSOP Type 1封装

绿色环保封装
• FM20L08-60-TG -工业级温度，60 ns访问时间，32脚  环环保TSOP - 无铅/环保封装
• FM20L08-60-TGC - 扩展温度，60 ns访问时间，32脚   环保TSOP - 无铅/环保封装

不推荐在新设计中采用。
请参见 FM28V100。