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产品信息: FM18L08 (NRND)

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不推荐在新设计中采用
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FM28V020
 
256Kbit 位非易失性铁电存储器
• 结构容量为32,68×8位
• 掉电数据保存45年
• 读/写次数无限制
• 写数据无延迟
• 采用先进的高可靠性铁电制造工艺

优于带后备电池SRAM
• 没有电池忧虑
• 整体可靠性
• 真正的表面贴片安装解决方案,没有返工步骤
• 防止潮湿,冲击和震动的危害
• 抵抗负电压脉冲能力

可兼容SRAM&EEPROM
• 符合
JEDEC 32K×8 SRAM & EEPROM 引脚标准
 访问时间70ns 
 周期140ns

低功耗操作
• 工作电压:3.0V - 3.65V 
• 工作电流:15mA 
 待机电流:15uA

工业标准
• 工业级温度:-40+85
• 28脚SOIC  DIP封装
• 32脚TSOP封装

订购信息
• FM18L08-70-TG 70 ns访问时间,32脚环保TSOP - 环保封装
• FM18L08-70-S 70 ns访问时间,28脚SOIC封装
• FM18L08-70-SG 70 ns访问时间,28脚环保SOIC - 环保封装
• FM18L08-70-P 70 ns访问时间,28脚DIP封装
• FM18L08-70-PG 70 ns访问时间,28脚环保DIP - 环保封装

产品快速浏览
访问时间: 70ns
最大工作电流: 15mA
容量: 32K x 8
封装: SOIC28 PDIP28 TSOP-I-32
电压: 3.0-3.65V
现有文件
数据手册:
IBIS模型:
IBIS模型:
设计材料与文档
设计材料与文档
设计材料与文档
设计材料与文档
设计材料与文档
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